创新机制旨在将数据保留率提高40000倍，将传感窗口提高20倍
加利福尼亚州圣何塞，2024年5月13日/PRNewswire/-3D NAND闪存和DRAM存储器创新技术的领先开发商NEO Semiconductor今天宣布了一种用于3D X-DRAM的性能提升浮体单元机制。创始人兼首席执行官Andy Hsu在韩国首尔举行的2024年第16届IEEE国际存储器研讨会（IMW）上展示了NEO 3D X-DRAM™的开创性技术CAD（TCAD）模拟结果。
Neo Semiconductor为浮体单元揭示了一种独特的性能提升机制，称为背栅沟道深度调制（BCM），可将数据保留率提高40000X，将感测窗口提高20X。
NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu表示：“与传统的2D浮体电池不同，我们的BCM机制使用背栅电压来调制沟道深度。这项专利发明显著增加了传感窗口和数据保留，这将使DRAM更快、更可靠，并降低刷新频率以节省电力。”。“我们很自豪能够带领DRAM行业进入3D时代，同时解决当前2D DRAM正在经历的容量扩展瓶颈”。
NEO半导体的3D X-DRAM™是第一个基于浮体单元技术的3D类NAND DRAM单元阵列结构。它可以使用今天成熟的类似3D NAND的工艺来制造。根据Neo的估计，3D X-DRAM™技术可以在300层的情况下实现128 Gb的密度，这是当今DRAM密度的8倍。它还可以减少芯片的占地面积和功耗。
关于NEO半导体
NEO半导体是一家专注于推进3D NAND闪存和DRAM技术的高科技公司。该公司由Andy Hsu和他的团队于2012年在加利福尼亚州圣何塞成立，拥有超过24项美国专利。2020年，该公司在名为X-NAND™的3D NAND架构方面取得了突破，该架构可以通过TLC和QLC存储器实现SLC性能，为包括5G和AI在内的许多应用程序提供高速、低成本的解决方案。2022年，该公司推出了X-DRAM™技术，代表了一种可以以世界最低功耗提供DRAM的新架构。2023年，NEO推出了开创性的3D X-DRAM™技术，这是存储器行业的游戏规则改变者，使世界上第一个类似3D NAND的DRAM能够解决容量扩展瓶颈，并使市场突破2D DRAM的限制。有关更多信息，请访问https://neosemic.com/.
媒体和分析师联系人：
Maya Lustig[电子邮件保护]
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SOURCE NEO半导体
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