4DS推出新的接口切换ReRAM技术，用于更快、节能的AI处理内存

呼吸的记忆：提供高带宽、高耐久性的持久记忆，可保留数小时至数月

加利福尼亚州弗里蒙特，2024年5月21日/PRNewswire/-4DS Memory Limited（ASX:4DS）今天宣布了一种用于人工智能处理的新型ReRAM技术，为大数据和神经网络应用带来了高带宽、高耐久性的持久存储器。4DS基于PCMO（镨、钙、锰、氧）ReRAM技术的接口切换与其他丝状ReRAM技术相比具有显著优势，是第一家在先进CMOS节点上开发这种高速、高耐久、持久非易失性技术的公司。

人工智能市场面临的最大挑战之一是，传统的CPU架构无法有效处理必须读取到芯片中、处理并从芯片中写回结果的大量数据。虽然新的芯片架构将内存与计算（compute in memory）结合在一起，但这种方法受到它们可以使用的足够快的内存类型和可以集成的内存量的限制。有了这些更大的模型，计算数据备份和恢复的挑战也随之增加。根据国际能源署的数据，除了速度之外，能源效率也变得越来越重要，因为预计到2026年，人工智能处理的能耗将是2023年的10倍。由于4DS在其持久性窗口内不需要刷新，并且可以在DRAM操作窗口内“刷新”（“隐藏刷新”），因此它可以为AI时代独特地提供节能的高带宽和高耐久性存储器技术。

首席战略官Peter Himes表示：“CPU/服务器系统和新兴的人工智能处理器架构可以利用4DS的技术，为大数据和神经网络应用开发更快、更节能、更高效的解决方案。”。“4DS是唯一一种商业上可行的基于PCMO的技术，它证明了下一代大数据和人工智能应用所需的可靠性能、速度、续航能力和能效。”

4DS基于区域的ReRAM的主要功能包括以下内容：

基于区域、低电流密度编程、高耐久性和可扩展的技术节点响应能力强，单次写入时间极快，为4.7ns，以DRAM速度提供低能量的每位写入高带宽持久性存储器，实现高性能数据保护高耐久性存储器，续航时间高达109小时动态分区：高耐久性、高保留率扇区可以动态分配，数据保留时间从数小时到数天到数月2024年第四季度将演示高规模、高密度w 20 nm单元使用标准晶圆厂设备简单集成到任何先进的CMOS工艺中

4DS与总部位于比利时的imec（纳米电子和数字技术领域的世界领先研究和创新中心）签订了一项开发协议，将于2024年在imec运行一款含有1.6B元素的20nm Mb芯片。

关于PCMO ReRAM

PCMO ReRAM属于接口切换ReRAM的一类，其中切换机制基于单元的接口特性。具体来说，整个接口区域都参与到切换中，这就是为什么它有时也称为基于区域的切换。

允许通过细胞传导的氧离子通过电场脉冲移入和移出细胞。当这种氧气存在时，电池导通，并被称为SET。同样，当氧被去除时，电流路径丢失，并且被称为RESET。因为涉及整个界面区域，所以电流密度保持在最小值，这有助于电池的高耐久性。

关于4DS内存

4DS存储器有限公司（ASX:4DS）位于硅谷，是一家半导体技术公司，为先进的CMOS工艺节点带来高带宽、高耐久性、非易失性存储器。它的技术被称为接口切换ReRam，具有可调的持久性和低比特能量，适用于当今最具挑战性的计算密集型和人工智能处理器应用。4DS成立于2007年，拥有34项美国专利，是第一家在先进CMOS处理节点上开发基于区域的ReRam（也称为PCMO）的公司。4DS与全球存储解决方案领导者西部数据子公司HGST签订了联合开发协议，并与总部位于比利时的imec签订了开发协议，imec是全球领先的纳米电子和数字技术研究与创新中心。

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妮可·康利

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SOURCE 4DS内存有限